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CSD17579Q5AT

CSD17579Q5AT

MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
Número de pieza
CSD17579Q5AT
Fabricante/Marca
Serie
NexFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
8-VSONP (5x6)
Disipación de energía (máx.)
3.1W (Ta), 36W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
25A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
9.7 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15.1nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1030pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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