Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK11A60D(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS

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TK11A60D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS

Número de pieza

TK11A60D(STA4,Q,M)

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVII

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3 Full Pack

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220SIS

Disipación de energía (máx.)

45W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

11A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1550pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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