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TK12E80W,S1X

TK12E80W,S1X

MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Número de pieza
TK12E80W,S1X
Serie
DTMOSIV
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220
Disipación de energía (máx.)
165W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
800V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
11.5A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 570µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 300V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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