Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK20N60W,S1VF MOSFET N-CH 600V 20A TO-247

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TK20N60W,S1VF

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247

Número de pieza

TK20N60W,S1VF

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-247

Disipación de energía (máx.)

165W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

20A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

155 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.7V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 300V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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