Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60W,LVQ MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN

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Hojas de datos

TK31V60W,LVQ

MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN

Número de pieza

TK31V60W,LVQ

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Estado de la pieza

Discontinued at Digi-Key

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

4-VSFN Exposed Pad

Paquete de dispositivo del proveedor

4-DFN-EP (8x8)

Disipación de energía (máx.)

240W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Super Junction

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

30.8A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

98 mOhm @ 15.4A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.7V @ 1.5mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 300V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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