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TK31V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
Número de pieza
TK31V60X,LQ
Fabricante/Marca
Serie
DTMOSIV-H
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
4-VSFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
4-DFN-EP (8x8)
Disipación de energía (máx.)
240W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Super Junction
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
30.8A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
98 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 1.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 300V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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