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TPH3207WS

TPH3207WS

MOSFET N-CH 650V 50A TO247
Número de pieza
TPH3207WS
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Not For New Designs
embalaje
Tube
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247
Disipación de energía (máx.)
178W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
650V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
50A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
41 mOhm @ 32A, 8V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.65V @ 700µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2197pF @ 400V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
8V
Vgs (máx.)
±18V
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