Comprar Transphorm TPH3212PS MOSFET N-CH 650V 27A TO220

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TPH3212PS

MOSFET N-CH 650V 27A TO220

Número de pieza

TPH3212PS

Fabricante/Marca

Transphorm

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220

Disipación de energía (máx.)

104W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

27A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

72 mOhm @ 17A, 8V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.6V @ 400uA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1130pF @ 400V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

Vgs (máx.)

±18V

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