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DG2519EDN-T1-GE4
HIGH BANDWIDTH, LOW VOLTAGE,DUAL
Número de pieza
DG2519EDN-T1-GE4
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Paquete / Estuche
10-VFDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
10-DFN (3x3)
Número de circuitos
2
-Ancho de banda de 3 dB
217MHz
Circuito multiplexor/demultiplexor
2:1
Circuito de conmutación
SPDT
Resistencia en estado (máx.)
4 Ohm
Voltaje - Suministro, simple (V+)
1.8 V ~ 5.5 V
Voltaje - Alimentación, doble (V�)
-
Coincidencia de canal a canal (?Ron)
500 mOhm
Tiempo de conmutación (Ton, Toff) (Máx.)
40ns, 33ns
Inyección de carga
14pC
Capacitancia del canal (CS (apagado), CD (apagado))
-
Corriente - Fuga (IS(apagado)) (Máx.)
-
Diafonía
-61dB @ 1MHz
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