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SI1029X-T1-E3
MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
Número de pieza
SI1029X-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-563, SOT-666
Potencia - Máx.
250mW
Paquete de dispositivo del proveedor
SC-89-6
Tipo FET
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
305mA, 190mA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 25V
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