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SI1065X-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
Número de pieza
SI1065X-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor
SC-89-6
Disipación de energía (máx.)
236mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
-
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
156 mOhm @ 1.18A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
950mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10.8nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
480pF @ 6V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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