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SI1304BDL-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323-3
Número de pieza
SI1304BDL-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SC-70, SOT-323
Paquete de dispositivo del proveedor
SC-70-3
Disipación de energía (máx.)
340mW (Ta), 370mW (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
900mA (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
100pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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