Comprar Vishay Siliconix SI1926DL-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

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SI1926DL-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363

Número de pieza

SI1926DL-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Potencia - Máx.

510mW

Paquete de dispositivo del proveedor

SC-70-6 (SOT-363)

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

370mA

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 340mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

18.5pF @ 30V

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