Comprar Vishay Siliconix SI2303BDS-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

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Hojas de datos

SI2303BDS-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

Número de pieza

SI2303BDS-T1-E3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-23-3 (TO-236)

Disipación de energía (máx.)

700mW (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.49A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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