Comprar Vishay Siliconix SI2304BDS-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

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SI2304BDS-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

Número de pieza

SI2304BDS-T1-E3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-23-3 (TO-236)

Disipación de energía (máx.)

750mW (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2.6A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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