Comprar Vishay Siliconix SI2315BDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

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Hojas de datos

SI2315BDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Número de pieza

SI2315BDS-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

Disipación de energía (máx.)

750mW (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

12V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 3.85A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

900mV @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

715pF @ 6V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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