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SI2333CDS-T1-E3

SI2333CDS-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Número de pieza
SI2333CDS-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Disipación de energía (máx.)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
7.1A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1225pF @ 6V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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Palabras clave deSI2333CDS-T1-E3
SI2333CDS-T1-E3 Componentes electrónicos
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