Comprar Vishay Siliconix SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

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Hojas de datos

SI2333DDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

Número de pieza

SI2333DDS-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-23-3 (TO-236)

Disipación de energía (máx.)

1.2W (Ta), 1.7W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

12V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

6A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1275pF @ 6V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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