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SI2338DS-T1-GE3

SI2338DS-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
Número de pieza
SI2338DS-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-23
Disipación de energía (máx.)
1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
424pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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