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SI3473CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
Número de pieza
SI3473CDV-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor
6-TSOP
Disipación de energía (máx.)
2W (Ta), 4.2W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2010pF @ 6V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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