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SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC
Número de pieza
SI4186DY-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Disipación de energía (máx.)
3W (Ta), 6W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
35.8A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3630pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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