Comprar Vishay Siliconix SI5511DC-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

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Hojas de datos

SI5511DC-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Número de pieza

SI5511DC-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Cut Tape (CT)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SMD, Flat Lead

Potencia - Máx.

3.1W, 2.6W

Paquete de dispositivo del proveedor

1206-8 ChipFET™

Tipo FET

N and P-Channel

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4A, 3.6A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

435pF @ 15V

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