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SI5922DU-T1-GE3

SI5922DU-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK
Número de pieza
SI5922DU-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Potencia - Máx.
10.4W
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® ChipFet Dual
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
19.2 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7.1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
765pF @ 15V
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