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SI8429DB-T1-E1

SI8429DB-T1-E1

MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
Número de pieza
SI8429DB-T1-E1
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
4-XFBGA, CSPBGA
Paquete de dispositivo del proveedor
4-Microfoot
Disipación de energía (máx.)
2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
8V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
11.7A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
800mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1640pF @ 4V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.2V, 4.5V
Vgs (máx.)
±5V
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