Comprar Vishay Siliconix SI8429DB-T1-E1 MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP

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SI8429DB-T1-E1

MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP

Número de pieza

SI8429DB-T1-E1

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

4-XFBGA, CSPBGA

Paquete de dispositivo del proveedor

4-Microfoot

Disipación de energía (máx.)

2.77W (Ta), 6.25W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

11.7A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

800mV @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1640pF @ 4V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.2V, 4.5V

Vgs (máx.)

±5V

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