Comprar Vishay Siliconix SIA427DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

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Hojas de datos

SIA427DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

Número de pieza

SIA427DJ-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® SC-70-6

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® SC-70-6 Single

Disipación de energía (máx.)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

12A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

800mV @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 4V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.2V, 4.5V

Vgs (máx.)

±5V

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