Comprar Vishay Siliconix SIA459EDJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9A SC70

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Hojas de datos

SIA459EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 9A SC70

Número de pieza

SIA459EDJ-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® SC-70-6

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® SC-70-6 Single

Disipación de energía (máx.)

2.9W (Ta), 15.6W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

9A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

885pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±12V

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