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SIHA240N60E-GE3

SIHA240N60E-GE3

MOSFET N-CHAN 600V TO-220 FP
Número de pieza
SIHA240N60E-GE3
Fabricante/Marca
Serie
E
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220 Full Pack
Disipación de energía (máx.)
31W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
12A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
783pF @ 100V
Vgs (máx.)
±30V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
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SIHA240N60E-GE3 Componentes electrónicos
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