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SISA18DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Número de pieza

SISA18DN-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Discontinued at Digi-Key

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® 1212-8

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® 1212-8

Disipación de energía (máx.)

3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

38.3A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

7.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

21.5nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

+20V, -16V

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