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SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Número de pieza
SISS10DN-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Disipación de energía (máx.)
57W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
40V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
60A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3750pF @ 20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
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