Comprar Vishay Siliconix SISS10DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

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SISS10DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Número de pieza

SISS10DN-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Disipación de energía (máx.)

57W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

40V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

60A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.65 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3750pF @ 20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

+20V, -16V

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