Comprar Vishay Siliconix SISS27DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

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Hojas de datos

SISS27DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Número de pieza

SISS27DN-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Disipación de energía (máx.)

4.8W (Ta), 57W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

50A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

5.6 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5250pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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