Comprar Vishay Siliconix SQ2361EES-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23

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SQ2361EES-T1-GE3

MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23

Número de pieza

SQ2361EES-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-23-3 (TO-236)

Disipación de energía (máx.)

2W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

545pF @ 30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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