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SQS415ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W
Número de pieza
SQS415ENW-T1_GE3
Fabricante/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® 1212-8W
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® 1212-8W
Disipación de energía (máx.)
62.5W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
40V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
16A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
16.1 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
82nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4825pF @ 25V
Vgs (máx.)
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
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