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SUD09P10-195-GE3
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Número de pieza
SUD09P10-195-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-252, (D-Pak)
Disipación de energía (máx.)
2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8.8A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
195 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
34.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1055pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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