Comprar AGM-Semi (core control source) AGM302C1 N-channel 30V 115A 2.2mΩ

AGM-Semi (core control source)

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AGM302C1

N-channel 30V 115A 2.2mΩ

Número de pieza

AGM302C1

Categoría

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricante/Marca

AGM-Semi (core control source)

Encapsulación

TO-220C

Embalaje

Tube

Número de paquetes

Descripción

Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 115A Power (Pd): 80W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.2mΩ @10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 100nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.85nF@15V ,Vds=30V Id=115A Rds=2.2mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj);

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