onsemi (Ansemi)
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FDD306P P-channel 12V 6.7A P-channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET, -12V, -6.7A, 28mΩ

FDD306P

P-channel 12V 6.7A P-channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET, -12V, -6.7A, 28mΩ
Número de pieza
FDD306P
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
TO-252
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
This P-channel 1.8V specified MOSFET is manufactured in an advanced low voltage PowerTrench process. This product is optimized for battery management.
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