onsemi (Ansemi)
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NVD2955T4G P channel

NVD2955T4G

P channel
Número de pieza
NVD2955T4G
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
DPAK-3
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Automotive power MOSFETs capable of withstanding high energy in avalanche and commutation modes. Suitable for low voltage high speed switching applications in power supplies, converters and power motor control. These devices are especially useful in bridge circuits where diode speed and commutation safe operating regions are critical, providing additional safety margin against unintended transient voltages. AEC-Q101 qualified MOSFETs with Production Part Approval Process (PPAP) capability for automotive applications.
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