PJSEMI (flat crystal micro)
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PJM123NSA
PJM123NSA
Número de pieza
PJM123NSA
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
PJSEMI (flat crystal micro)
Encapsulación
SOT-23
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Drain-source voltage (Vdss): 100V, continuous drain current (Id) (at 25°C): 0.17A, gate-source threshold voltage: 1~3V@250uA, drain-source on-resistance: 3.8Ω@Vgs=0.17 A, 4.5V, maximum power dissipation (Ta=25°C): 0.9W, type: N-channel
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