La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
C2M0080120D

C2M0080120D

MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
Número de pieza
C2M0080120D
Fabricante/Marca
Serie
C2M™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Bulk
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247-3
Disipación de energía (máx.)
192W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
36A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 1000V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
20V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 25321 PCS
Información del contacto
Palabras clave deC2M0080120D
C2M0080120D Componentes electrónicos
C2M0080120D Ventas
C2M0080120D Proveedor
C2M0080120D Distribuidor
C2M0080120D Tabla de datos
C2M0080120D Fotos
C2M0080120D Precio
C2M0080120D Oferta
C2M0080120D El precio más bajo
C2M0080120D Buscar
C2M0080120D Adquisitivo
C2M0080120D Chip