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GSID100A120T2C1
SILICON IGBT MODULES
Número de pieza
GSID100A120T2C1
Fabricante/Marca
Serie
Amp+™
Estado de la pieza
Active
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Estuche
Module
Potencia - Máx.
640W
Configuración
Three Phase Inverter
Paquete de dispositivo del proveedor
Module
Corriente - Colector (Ic) (Max)
200A
Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)
1200V
Corriente: corte del colector (máx.)
1mA
Tipo IGBT
-
Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 100A
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
13.7nF @ 25V
Aporte
Three Phase Bridge Rectifier
Termistor NTC
Yes
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