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IPAN50R500CEXKSA1

IPAN50R500CEXKSA1

MOSFET NCH 500V 11.1A TO220-3
Número de pieza
IPAN50R500CEXKSA1
Fabricante/Marca
Serie
CoolMOS™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO220 Full Pack
Disipación de energía (máx.)
28W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
500V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
11.1A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 200µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
18.7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
433pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
13V
Vgs (máx.)
±20V
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En stock 42151 PCS
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Palabras clave deIPAN50R500CEXKSA1
IPAN50R500CEXKSA1 Componentes electrónicos
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