Comprar Infineon Technologies IPC100N04S51R2ATMA1 MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

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IPC100N04S51R2ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

Número de pieza

IPC100N04S51R2ATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TDSON-8

Disipación de energía (máx.)

150W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

40V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

100A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.2 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.4V @ 90µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

131nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7650pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

7V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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