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IPC60N04S4L06ATMA1
MOSFET N-CH 8TDSON
Número de pieza
IPC60N04S4L06ATMA1
Fabricante/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TDSON-8-23
Disipación de energía (máx.)
63W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
40V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
60A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
5.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.2V @ 30µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3600pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±16V
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