Comprar Infineon Technologies IPD031N03LGATMA1 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

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Hojas de datos

IPD031N03LGATMA1

MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Número de pieza

IPD031N03LGATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Discontinued at Digi-Key

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO252-3

Disipación de energía (máx.)

94W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

90A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3.1 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5300pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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