Comprar Infineon Technologies IPI029N06NAKSA1 MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3

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IPI029N06NAKSA1

MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3

Número de pieza

IPI029N06NAKSA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO262-3

Disipación de energía (máx.)

3W (Ta), 136W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

24A (Ta), 100A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.9 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.8V @ 75µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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