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IPS50R520CP

IPS50R520CP

MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-251
Número de pieza
IPS50R520CP
Fabricante/Marca
Serie
CoolMOS™
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO251-3
Disipación de energía (máx.)
66W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
550V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
7.1A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
520 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
680pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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En stock 32674 PCS
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Palabras clave deIPS50R520CP
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