Comprar Infineon Technologies IPT60R050G7XTMA1 MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8

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Hojas de datos

IPT60R050G7XTMA1

MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8

Número de pieza

IPT60R050G7XTMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ G7

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerSFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-HSOF-8

Disipación de energía (máx.)

245W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

44A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 15.9A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 800µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2670pF @ 400V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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