Comprar Infineon Technologies IPU50R1K4CEBKMA1 MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251

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IPU50R1K4CEBKMA1

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251

Número de pieza

IPU50R1K4CEBKMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Estado de la pieza

Last Time Buy

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO251-3

Disipación de energía (máx.)

25W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

500V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3.1A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 900mA, 13V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 70µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

178pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

13V

Vgs (máx.)

±20V

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