Comprar Infineon Technologies IRF200B211 MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

IRF200B211

MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB

Número de pieza

IRF200B211

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®, StrongIRFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220AB

Disipación de energía (máx.)

80W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

12A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.9V @ 50µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 15872 PCS

Información del contacto