Comprar Infineon Technologies IRF40H210 MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6

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IRF40H210

MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6

Número de pieza

IRF40H210

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®, StrongIRFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-PQFN (5x6)

Disipación de energía (máx.)

125W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

40V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

100A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.7V @ 150µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

152nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5406pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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