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IRFH3702TR2PBF

IRFH3702TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
Número de pieza
IRFH3702TR2PBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
8-PQFN (3x3)
Disipación de energía (máx.)
2.8W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
16A (Ta), 42A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
7.1 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.35V @ 25µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1510pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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